机译:ZEP520A电子束抗蚀剂的深紫外光刻技术用于混合匹配光刻
机译:使用紫外线可固化正性电子束光刻胶,通过紫外-纳米压印光刻和电子束光刻进行微通道制造
机译:寻求用于高分辨率电子束光刻的新型正性抗蚀剂mr-PosEBR
机译:mr-PosEBR-用于高分辨率电子束光刻和3D表面构图的新型正性抗蚀剂
机译:聚合物抗蚀剂的电子束感应电导率效应和电子束光刻中的电荷感应电子束偏转模拟。
机译:使用原位自显影抗蚀剂进行带反馈的电子束光刻
机译:MR-POSEBR:高分辨率电子束光刻和3D表面图案的新型正音抗蚀剂
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。